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経団連「2030年までに日本のGDPは韓国に抜かれる」7

120 :可愛い奥様:2013/08/07(水) NY:AN:NY.AN ID:pRVQE+hj0
1 帰って来た仕事コナカッタ元声優 φ ★ 2013/08/06(火) NY:AN:NY.AN ID:???
【ソウル聯合ニュース】サムスン電子は6日、
世界で初めて3次元垂直構造NAND型(3D V−NAND)フラッシュメモリーの量産に入ったと明らかにした。

同製品にはサムスン電子が独自に開発した「3D円筒形チャージトラップ型フラッシュ(CTF)セル構造」と
「3D垂直積層工程」が適用され、従来の20ナノメートル(1ナノメートルは10億分の1メートル)台の製品に比べ
集積度は2倍以上に増大した。製品容量は業界最大の128ギガビット。

近ごろ10ナノメートル台プロセスの導入でセルの間隔が大幅に狭まり、
電子が漏れ出す干渉現象が深刻化しているが、サムスン電子は単層で配列されたセルを垂直に積み上げる
「構造革新」と「工程革新」により、半導体微細化技術の物理的な限界を克服した。
特に、3D円筒形CTFセルは電荷を安定した絶縁体に保存し、上下のセル間に起こる干渉を抑制する。

これにより、書き込み速度は従来の2倍以上速くなり、セルの寿命を示す書き込み回数(耐久年限)は
製品ごとに最低2倍から最大10倍以上に向上する一方、消費電力は半分に減らせるという。

サムスン電子は10年にわたる研究を経て3D垂直構造NAND型フラッシュメモリーの開発・量産に成功。
すでに300件以上の関連特許を韓国、米国、日本など各国に出願済みだ。

NAND型フラッシュメモリーは電源を切ってもデータが消えずに保存される半導体メモリーで、
スマートフォン(多機能携帯電話)などの記憶装置として広く使用されている。

http://www.chosunonline.com/site/data/html_dir/2013/08/06/2013080602410.html

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